WEP CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測(cè)量?jī)x 德國(guó)WEP公司的CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測(cè)試儀可高效、準(zhǔn)確的測(cè)量半導(dǎo)體材料（結(jié)構(gòu)，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過(guò)程由軟件全自動(dòng)控制。 電化學(xué)ECV剖面濃度測(cè)試儀主要用于半導(dǎo)體材料的研究及開(kāi)發(fā)，其原理是使用電化學(xué)電容-電壓法來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料的摻雜濃度分布。電化學(xué)ECV（

開(kāi)爾文探針（Kelvin Probe）是一種非接觸無(wú)損震蕩電容裝置，用于測(cè)量導(dǎo)體材料的功函數(shù)（Work Function）或半導(dǎo)體、絕緣表面的表面勢(shì)（Surface Potential）。材料表面的功函數(shù)通常由上層的1-3層原子或分子決定，所以開(kāi)爾文探針是一種的表面分析技術(shù)。主要型號(hào)：KP020 （單點(diǎn)開(kāi)爾文探針），SKP5050（掃描開(kāi)爾文探針）。

光學(xué)薄膜測(cè)厚儀 薄膜表面或界面的反射光會(huì)與從基底的反射光相干涉，干涉的發(fā)生與膜厚及折光系數(shù)等有關(guān)，因此可通過(guò)計(jì)算得到薄膜的厚度。光干涉法是一種無(wú)損、且快速的光學(xué)薄膜厚度測(cè)量技術(shù)，我們的薄膜測(cè)量系統(tǒng)采用光干涉原